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涨姿势:三星在闪存峰会上的那些黑科技

2016-08-13 05:08:00 中关村在线  中关村在线 王辉

  拥有着半导体产业链的三星电子,在闪存颗粒的研制上也有着相当的实力。作为业界第一个研发出3D-NAND技术并将之应用于固态硬盘上的厂商,此次闪存峰会上,三星电子又带来了那些黑科技呢?下面就和笔者一起去看看吧。

  第四代V-NAND技术

  前文说到三星作为3D-NAND技术的鼻祖,一直都在研发更加可靠实用的3D NAND产品。而在此次峰会上,三星也推出了让人期待依旧的第四代V-NAND技术。

  第四代3D V-NAND立体堆叠技术最大的特点就是层数的增加以及容量的增加,层数上,由第三代的48层增至64层;容量上,单晶粒最大容量512Gb(64GB),依旧支持TLC颗粒,同时IO接口传输速度也提高到了800Mbps。

基于此新技术,三星可以在单颗芯片封装内,做到1TB容量,甚至是13×11.5毫米的单芯片BGA SSD都能做到1TB。

  基于此新技术,三星可以在单颗芯片封装内,做到1TB容量,甚至是13×11.5毫米的单芯片BGA SSD都能做到1TB。

  对标intel,推出“Z-NAND”技术

  除了研发最新一代的V-NAND技术,三星还宣布了新的“Z-NAND”闪存技术、新的主控。据悉,新的“Z-SSD”硬盘,将介于传统SSD和内存之间,性能高于传统NVMe、PRAM SSD,延迟则类似后者,能效也更高。
而从新闻稿看,Z-NAND并不是Intel、美光搞的那种混合式3D XPoint,因为其基本结构和V-NAND是相通的,只不过加入了特殊电路和主控设计,实现性能最大化。
而从新闻稿看,Z-NAND并不是Intel、美光搞的那种混合式3D XPoint,因为其基本结构和V-NAND是相通的,只不过加入了特殊电路和主控设计,实现性能最大化。

  而从新闻稿看,Z-NAND并不是Intel、美光搞的那种混合式3D XPoint,因为其基本结构和V-NAND是相通的,只不过加入了特殊电路和主控设计,实现性能最大化。

(责任编辑: HN666)
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